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IPB80N06S2L-H5 |
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | Infineon Technologies | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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IPB80N06S2L-H5参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 包装数量:1000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):55V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.7 毫欧 @ 80A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):190nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5000pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 安装类型:表面贴装 |
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